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采用离子束溅射和磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／A12O3／Ni80Fe20磁性隧道结．控制样品上下铁磁层的厚度，研究了不同铁磁层厚度对样品隧道结磁电阻效应的影响．结果表明，磁电阻随着铁磁层的厚度变化而振荡。
Ni80Fe20／A12O3／Ni80Fe20隧道结的TMR特性
【摘 要】
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采用离子束溅射和磁控溅射技术制备了Ni80Fe20／A12O3／Ni80Fe20磁性隧道结．控制样品上下铁磁层的厚度，研究了不同铁磁层厚度对样品隧道结磁电阻效应的影响．结果表明，磁电阻随着铁磁
【机 构】
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哈尔滨理工大学应用科学学院
【出 处】
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福州大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2004年3期
【基金项目】
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黑龙江省自然科学基金资助项目(F01-21)
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