(Ba,Mg,Sr)O·nAl2O3:Mn^2+的合成及发光性质研究

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hahabiaoren
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
用高温固相反应合成了Ba0.04Mg0.16Sr0.8O@nAl2O3:Mn2+0.07(n=4.1,4.2…4.9)和Ba0.1Mg0.1Sr0.8O@nAl2O3:Mn2+0.07(n=4.1,4.2…4.9)铝酸盐体系发光材料.X射线衍射呈单相,说明生成了完全互溶的连续固溶体.经检测发现Mg2+,Sr2+的引入有效地优化了发光基质,使Mn2+在真空紫外激发下的发射明显增强.在Ba0.04Mg0.16Sr0.8O@nAl2O3:Mn2+0.07体系中,在一定范围内改变Al3+含量(n值)可适当调整激发
其他文献
通过对器件结构的优化设计,提高了白光电致发光器件中蓝光成分的发光效率,从而得到了一种较为理想的有机白光电致发光器件.驱动电压为5V时,电流密度J=0.5mA/cm2,器件的效率达
采用溶胶—凝胶法制备了Zn2Si04:Mn薄膜并结合毛细管微模板技术实现了薄膜的图案化,利用x射线衍射(XRD),原子力显微镜,光学显微镜,发光光谱等手段对Zn2Si04:M2的结晶过程、发光性质
氧化锌(ZnO)是一种具有六方结构的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,室温下能带带隙Eg为3.37eV.由于氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60meV),保证了其在室温下较强的激子发光
采用等离子辅助电子束蒸发技术制备高纯金属锌膜,然后在氧气气氛下经高温热处理得到氧化锌的多晶薄膜.X射线衍射谱的结果表明:未经热氧化样品由金属锌和氧化锌纳米晶组成,随
降低InGaN的维数是提高GaN基发光器件发光效率的一种非常有效的方法,本文的工作主要集中在高密度InGaN量子点的生长和分析上.在MOCVD设备上,经过钝化和低温两个特殊工艺条件,
用固相反应法制备了Er3+掺杂摩尔分数为1%的ZrO2材料;X射线衍射图表明该种材料为混合相晶体结构;用Nd:YAG激光器的三次谐波(355urn)和二极管激光器(980nm)为激发源激发样品,
合成了两种NPB的新衍生物:N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二(4-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'二胺(NTB)和N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二(4-叔丁基苯基)-1,1'-联苯
最近,到各地看了不少千人计划领军人物创办的企业,发现一个很有趣的现象,高学历领军人物创办的企业,就其商业与技术模式,我不是说单项技术而言,都是最落后的。换而言之,科技的领军人
利用LP-MOCVD系统生长了InGaN/GaN MQW紫光LED外延片,双晶X射线衍射测试获得了2级卫星峰,室温光致发光谱的峰值波长为399.5nm,FWHM为15.5nm,波长均匀性良好.制成的LED管芯,正
用阴极电沉积法制备高质量ZnO纳米薄膜,电沉积采用含有不同浓度的ZnCl2的非水二甲基亚砜溶液做电解液,室温下恒流沉积,得到纳米ZnO薄膜.研究了ZnCl2浓度对薄膜结构和光学性质