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晶圆背面减薄是集成电路后封装关键工艺,通过金刚石磨轮的磨削作用,对芯片背面的基体材料-硅材料去除一定的厚度,从而降低芯片厚度,改善芯片的散热效果,有利于后期的封装工艺。主要介绍了在晶圆减薄过程中的关键指标TTV的影响因素,通过设备自动控制,进行工艺角度调整,能够减小晶圆TTV值,从而提高晶圆磨削质量。