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对超薄硅片制备工艺机理进行了优化研究。利用胶粘键合工艺在基片上固定保护硅片，提高了硅片承受工艺加工的机械性能。再结合化学机......
设计了正交实验,探究了腐蚀温度、辊筒转速、鼓泡时间、提臂摇动速率与腐蚀速率和TTV变化的影响;发现酸腐蚀过程中,宜设置适中的温......
介绍了晶圆磨削原理,分析了TTV产生的原因,提出了在不同情况下晶圆TTV的调整方法,使主轴与承片台的角度的调整更加方便准确。......
通过机械结构、控制系统及显示系统设计,研制了硅片总厚度偏差及翘曲度检测装置,该装置具备自动送料、自动检测、自动回料、自动显......
主要分析了不同澳甲醇（澳体积比为0．05％）蒋蚀时间对CZT（211）B衬底表面粗糙度、总厚度偏差、红外透过率、Zn值以及X射线衍射半峰宽（FWHM）的......
在红外探测领域,InSb材料已经大规模地被用于制造3~5μm波长范围的焦平面阵列探测器。对更大规模、更高性能探测器的需求日益增长,......
晶圆背面减薄是集成电路后封装关键工艺,通过金刚石磨轮的磨削作用,对芯片背面的基体材料-硅材料去除一定的厚度,从而降低芯片厚度......
在简述多晶硅片加工技术的基础上,重点阐述了碳化硅这个因素对于多晶硅片切片的影响。通过实验设计方法设计出来一组单因素的实验,......
