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含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流，但氧化孔的存在也会加大串联电阻，本文采用理论模型，详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻，把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻，分析了串联电阻与氧化孔半径的关系，提出了降低VCSEL串联电阻的具体方法。
氧化限制型垂直腔面发射激光器串联电阻分析
【摘 要】
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含氧化限制孔的VCSEL具有低的阈值电流，但氧化孔的存在也会加大串联电阻，本文采用理论模型，详细计算了氧化限制型VCSEL的串联电阻，把串联电阻分解为垂直方向电阻和横向电阻，分析了
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年7期
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划（批准号：2002AA312080）,国家重点基础研究发展规划（批准号：TG2000036603）,自然科学基金（批准号：60137020）资助项目
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