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通过对波长808nm的GaAIAs／GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程，从理论和实验上分析了涂层特性，透射率由无膜时的69％和32．6％提高到镀膜后的90％和80％以上，提高器件的耦合效率、输出光功率和工作寿命。
GaAIAs半导体功率放大激光器耦合效率的研究
【摘 要】
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通过对波长808nm的GaAIAs／GaAs半导体功率放大激光器端面镀ZrO2减反射膜工艺过程，从理论和实验上分析了涂层特性，透射率由无膜时的69％和32．6％提高到镀膜后的90％和80％以上，提高器件的耦
【机 构】
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长春理工大学理学院
【出 处】
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长春理工大学学报
【发表日期】
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2006年3期
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