【摘 要】
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对KBr原料进行了纯化处理,采用提拉法生长KBr晶体,获得了合适的晶体生长工艺参数：熔液上方温度梯度-20℃/cm～-30℃/cm,下方温度梯度10℃/cm～15℃/cm,拉速1～4mm/h,转速5～20r/min。
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对KBr原料进行了纯化处理,采用提拉法生长KBr晶体,获得了合适的晶体生长工艺参数：熔液上方温度梯度-20℃/cm～-30℃/cm,下方温度梯度10℃/cm～15℃/cm,拉速1～4mm/h,转速5～20r/min。测量了KBr晶体的红外光谱,表明纯化后的多晶料能够有效去除杂质,有利于获得高透过、低吸收的晶体。TG-DSC表明KBr在720.9℃发生熔化。XRD表明KBr晶体属于立方晶系,Fm3m空间群。测试了KBr晶体透过光谱,透过率大于92%。
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