GaN金属-半导体-金属紫外光电探测器的研制

来源 :厦门大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:xxyty
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用金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上制备了GaN单晶薄膜.并对样品进行X射线衍射和光致发光谱测量.利用GaN样品成功地制备了金属-半导体-金属(MSM)结构GaN紫外光电探测器,并对其I-V特性、光谱响应及击穿电压等性能进行测试和分析.结果表明.探测器在-5V偏压下的光电流与暗电流之比大于400倍;探测器光响应在352nm附近达到响应峰值,并在364nm附近出现截止,即具备可见盲特性;器件的光响应度最好达0.21A/W。
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