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二氧化硅薄膜至今依然属人们广泛研究的材料，这是因为当这种材料制备为高质量的超薄、极薄的氧化物时，可实际应用于不同方面，如超大规模集成电路（VLSI）的栅氧化层以及液晶显示屏（LCD）的生产。本文考察了厚度为3nm和5nm的极薄二氧化硅层的结构性质，这些薄层是通过适度掺杂n～型硅（100）晶片而形成。在形成氧化层之前用标准RCA方法清洁，并随后在氮气氛围中退火，部分样品在HCN溶液中钝化。本研究中用傅立叶变换红外光谱（FT—IR）技术获取了复合结构中不同类型的化学键信息。对SiO2钝化试样和非钝化试样中的S