高电阻锑化铟的制造方法

来源 :航空兵器 | 被引量 : 0次 | 上传用户：chijb

【摘要】

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<正> 专利的详细说明:高电阻锑化铟既大量地作为利用光电导体或者光电磁效应的红外探测器红外滤波器及窗孔材料等红外光电元件的原材料使用,又大量地作为外延生长衬底来使用

【作者】

：

赵国禄

【出处】

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航空兵器

【发表日期】

：

1979年03期

【关键词】

：

高电阻原材料受主杂质制造方法锑化铟

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<正> 专利的详细说明:高电阻锑化铟既大量地作为利用光电导体或者光电磁效应的红外探测器红外滤波器及窗孔材料等红外光电元件的原材料使用,又大量地作为外延生长衬底来使用。本专利是有关大量地并且再现性好地制造出适合于上述目的高电阻锑化铟的方法。有关本专利的锑化铟的“高电阻”所指的是在77°K为 100欧姆——厘米以上者。(因

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