【摘 要】
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通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积AI/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院,DepartmentofComputerandElectricalEng.
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通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积AI/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光谱响应特性进行了测试研究,并根据AES、XPS分析结果对测试结果进行了理论分析.结果表明,即使在未进行合金工艺的情况下,非合金Al/ZnO金属体系与n型ZnO也可以形成良好的欧姆接触,正向偏压下,探测器的暗电流与光电流随外加偏压线性增加;探测器对紫外光谱具有明显的响应,其响应截止波长为368 nm.XPS分析表明,在ZnO薄膜表面存在着一定的O空位和Zn间隙,非化学计量的
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