紫外光探测器相关论文
氧化锌（ZnO）是一种非常重要的直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度约为3.37 e V,较大的激子束缚能（60 me V）,具有良好的光电特性、易......
紫外光探测器件在光通讯、光开关和光成像等领域具有广泛的应用前景。直接带隙半导体氧化锌材料的禁带宽度为3.4 e V,室温激子束缚......
硼氮掺杂多环芳烃是近年来备受关注的多环芳烃（PAHs）类化合物之一。在保持芳香性的同时,B原子和N原子的引入使得此类化合物具有新颖......
氧化锌是直接宽带隙Ⅱ-Ⅵ族氧化物半导体材料,其室温禁带宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。在此基础上一维氧化锌纳米棒也因具......
有机紫外光探测器(Organic Ultraviolet Photodetector,OUV-PD)因质量轻、柔性和成本低等优点已引起广泛关注。以m-MTDATA、NPB和B......
紫外光探测器能够将紫外光信号转换为电信号,完成对紫外光的探测,普遍应用于环境监测、火焰探测、卫星通讯、导弹羽流探测、生物和......
Ga_2O_3半导体材料共有六种结构。其中单斜相的β-Ga_2O_3由于具有最好的热力学稳定性,并且可以用作单晶衬底,受到人们广泛的关注......
紫外光探测器目前已广泛应用于空间通信、环境监测、航空航天、化学分析等多种领域,研究具有良好性能的紫外光探测器很有必要。单......
近年来,宽禁带半导体材料由于具有电子速度高、抗辐射性能强以及导热性能好等特点,在高速的光电技术发展中得到了越来越多的关注。......
ZnO是一种理化性质非常稳定的宽带隙半导体材料,在紫外探测领域具有广泛应用前景。然而,基于ZnO材料的紫外探测器仍存在器件响应速......
目前,ZnO基光电器件中一个难题是优质稳定的p型ZnO材料制备。由于锌填隙与氧空位,未掺杂的ZnO为n型半导体,自补偿效应对p型ZnO制备......
金刚石具有独特的电学、光学、热学、优越的物理和化学稳定性能，使金刚石电子器件在高温、强辐射等恶劣的环境下能安全稳定的工作。......
立方氮化硼(cBN)薄膜拥有十分好的物理化学性能,与金刚石薄膜相比较,温度低于1373K时不会与铁系金属材料反应,同时具有宽带隙(6.4e......
为解决TiO2纳米颗粒紫外光探测器难以兼具高光响应度和快响应速率的问题,制备了MgO阻挡层/TiO2纳米颗粒复合结构的自供电紫外光探......
现代显示技术对高性能薄膜晶体管（Thin film transistor,TFT）的需求促进了氧化物半导体（Oxide semiconductor）的快速发展。近年来，氧化......
金刚石和氧化锌在电学、热学、声学等方面的独特性能，为ZnO/金刚石异质结结构提供了潜在的应用前景，特别是在军事及民用领域的紫外光......
氧化锌(ZnO)纳米线是一种宽禁带半导体一维纳米材料，由于具有很大的激子束缚能、良好的光电特性、抗氧化、耐高温等特性，在制作场效......
近几年，有关于半导体光探测器相关的研究引起了人们的广泛关注。现在，半导体光探测器在军事、环保、航天和各个工业领域都有着众多的......
ZnO，作为一种直接带隙宽禁带材料，是继 GaN 之后光电研究领域又一热门研究课题。其光电特性受缺陷的影响较小，在如今的信息时代有着重......
紫外探测器在化学传感，水杀菌，空间通信、工业、火焰传感、天文学等领域中都有着非常重要的应用。纳米ZnO作为直接带隙宽禁带半导体......
以p-Si(111)为衬底,用水热法首次制得六棱微管ZnO.并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电极,从而制作了Ag/n-ZnO......
为了解决紫外光探测器的光谱响应难以准确测量的问题，采用光声光谱的方法，以自制的高灵敏度光声探测器为标准探测器，建立了一套紫外光......
采用热丝化学气相沉积（HFCVD）法制备了1.8μm,2．5μm和3．1μm三种晶粒尺寸的金刚石薄膜，并制作了共平面光电导探测器。采用光学显微镜和......
通过在MOCVD方法生长的ZnO薄膜上沉积AI/Au叉指状电极制得ZnO紫外光电导型探测器,对该探测器的欧姆接触特性、光电响应特性以及光......
通过在GaN缓冲层上先生长一层20nm厚的AIN插入层，成功地在此插入层上生长出了200nm厚的AlxGa1-xN（0．22〈x〈0．28）材料。研究并优化了Alx......
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紫外光探测器无论在军用还是在民用上都有重要的应用价值，所以引起人们的极大关注。近年来，随着材料制备技术的发展而迅速发展。目前......
紫外光探测器被广泛的用于环境监测、火焰探测、导弹预警以及空间传输等领域。MgZnO基紫外光探测器由于MgZnO材料的优点受到了人们......
紫外光探测器被广泛应用于通信、航天、环境监测、化学分析以及医疗器械等领域,具有非常重要的研究价值。ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族元素形......
国际上一般采用任意取向的多晶薄膜作为探测级材料，所以电荷收集效率较低以至于灵敏度受到限制。本实验采用不同取向的多晶金刚石薄......
氧化锌(ZnO)材料具有独特的光学和电学性质,在室温下有3.37 eV的带隙宽度和60 meV的高激子结合能,是性能良好的具有宽直接带隙的Ⅱ......
无需电源供电的自驱动紫外光探测器可实现小型化、智能化,在未来自驱动的无线遥控的纳米器件领域将发挥重要的作用。基于光伏效应......
本论文综述了宽禁带半导体β-Ga2O3材料的研究进展,包括晶体结构,生长方法,掺杂离子,光学性质和电学性质。β-Ga2O3可以作为GaN基L......
紫外光电器件在绿色照明、光通讯和光信息存储等方面具有广泛的应用前景与迫切的应用需求。II-VI族直接带隙半导体氧化锌(ZnO)为六......
紫外探测器无论在民用还是在国防军事领域都具有重要的作用和价值。新一代紫外探测器要求具备体积小、响应和恢复速度快、灵敏度高......
本文评述了有机/聚合物光探测器[Organic/Polymer Photodetector(PD)]近年来主要研究进展。描述了紫外(UV)PD,特别着重描述了光盲(......
GaN基金属-半导体-金属（MSM）结构的紫外探测器因其平面型、工艺简单、便于集成等优点成为GaN紫外探测器（UVPD）研究的热门课题之一。本......
由于金刚石薄膜具有优异的力学、热学、光学、电学和化学稳定性,使得它成为一种理想的电子器件用宽禁带半导体材料,基于金刚石薄膜......
ZnO基金属-半导体-金属(MSM)肖特基型紫外探测器具有暗电流低、响应速度快、易于集成等优点,在导弹追踪、紫外通信、火灾的探测与......
紫外光电探测器在工农业生产、环境监测与保护、航空航天以及国防工业等领域均具有重要的应用价值,而半导体材料与技术的快速发展......
近年来，MgZnO基日盲紫外光探测器由于在紫外通讯、导弹预警以及火焰探测等方面具有巨大的应用潜力而受到人们的广泛关注，是当前光通......
GaN基金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器因其具有平面型、工艺简单、便于集成等优点而成为研究热门课题之一。当前,GaN基MSM结......
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