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影响ICP刻蚀的工艺参数包括反应室压力，偏置射频功率，氩气流量比率。通过正交试验的方法，以CHF3和Ar的混合物作为反应气体，利用电感耦合等离子体技术刻蚀Pyrex玻璃。并采用回归分析方法建立了二次回归方程模型描述腐蚀速率和三个因素之间的关系。实验结果表明，氩气的流量比率（总气体流量（CHF3+Ar）是恒定的）对刻蚀速率的影响最大，影响程度的主次顺序为氩气的流量比率，反应室压力，偏置射频功率。腐蚀速率和三个因素之间的数学表达式为：腐蚀速率=532.6800+2.0556×Ar+0.0127×（偏置射频功率）-0.9641×压力-0.0655×Ar2-0.0067×Ar×（偏置射频功率）+0.0217×（偏置射频功率）×压力-0.0504×（压力）2，实验结果证明数学拟合结果良好。