CMOS电压模式伪指数功能电路

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【摘要】

：

根据函数（1＋x）/（1-x）,利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSM

【作者】

：

陈斯恽廷华王文静

【机构】

：

徐州师范大学物理与电子工程学院,东南大学国家ASIC系统工程研究中心

【出处】

：

电子器件

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

指数函数电压模式 CMOS工艺 dB-线性 exponential function voltage mode CMOS technology dB-l

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根据函数（1＋x）/（1-x）,利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,3.3 V工作电压下的Hspice仿真结果显示电路的输出电压与输入电压之间成良好的指数关系即dB-线性关系.在dB-线性内,输出电压的动态范围为20 dB,误差在1 dB之内.

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