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在GaN薄膜表面电镀厚100μm的、均匀的金属铜作为转移衬底。采用激光剥离技术，在400mJ／cm^2脉冲激光能量密度条件下，成功地将GaN薄膜从蓝宝石衬底转移至Cu衬底。激光剥离后Cu衬底上GaN薄膜的扫描电子显微镜（SEM）测试结果表明，电镀Cu衬底与GaN之间形成致密的结合，对GaN薄膜起到了很好的支撑作用。同时铜的延展性好，使得GaN薄膜内产生的应力得到有效释放，保持了剥离后GaN薄膜的完整性。激光剥离后GaN表面残留物的X射线光电子能谱（XPS）分析显示，激光辐照产生的金属Ga部分与空气中的氧结