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在研制超声椭圆振动-化学机械复合抛光硅片实验装置基础上，进一步开展了抛光压力P，抛光点速度v及抛光液供给量Q等可控工艺参数对硅片抛光表面粗糙度、表面形貌和材料去除率影响的有无超声椭圆振动辅助抛光的对比实验研究．实验结果表明：抛光工具的超声椭圆振动有利于抛光垫保持良好的表面形貌和抛光区获得良好的工作状况，提高硅片材料的去除率；抛光压力对抛光质量的影响最大，抛光速度次之，抛光液供给量影响最小；在最佳抛光效果情况下，可使硅片抛光表面粗糙度值由传统抛光法所获得的Ra0．077μm降到超声辅助抛光法的Ra0．042