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用电镜、激光ROMAN谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示：金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度、基片温度的增加而增加，随工作气压的升高先是增加，而后降低，峰值在15—20kPa处。
CVD金刚石膜工艺研究
【摘 要】
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用电镜、激光ROMAN谱分析等手段研究工艺参数对CVD金刚石膜生长速率和生长质量的影响。结果显示：金刚石薄膜的生长速率随甲烷浓度、基片温度的增加而增加，随工作气压的升高先是
【机 构】
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华中科技大学机电学院430074,北京科技大学材料学院
【出 处】
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郑州工业高等专科学校学报
【发表日期】
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2004年2期
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