【摘 要】
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成果简介： 一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法，包括以下步骤：将聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶剂，加入Si粉，混合均匀后，加热挥发除去有机溶剂；将表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性气氛中裂解，最高裂解温度1000～1350℃，升温速度0.5～10℃/min；测定复合粉末的碳与硅的含量，得出复合粉末中SiC和Si的量，按摩尔比Mo∶Si=1∶2加入Mo粉，混合，反应
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成果简介： 一种聚合物裂解-反应热压制备纳米SiC颗粒增强MoSi2基复合材料的方法，包括以下步骤：将聚碳硅烷溶于正己烷或甲苯溶剂，加入Si粉，混合均匀后，加热挥发除去有机溶剂；将表面粘有聚碳硅烷的硅粉在真空或惰性气氛中裂解，最高裂解温度1000～1350℃，升温速度0.5～10℃/min；测定复合粉末的碳与硅的含量，得出复合粉末中SiC和Si的量，按摩尔比Mo∶Si=1∶2加入Mo粉，混合，反应热压制备；热压工艺为：升温速度20～100℃/min，热压温度1450～1700℃，压力20～50MPa，保温30～120min，真空或惰性气体保护。本发明材料经XRD检测表明，仅含MoSi2和SiC两项。本发明材料是在不降低MoSi2抗高温氧化性前提下，最大限度地改善了MoSi2基复合材料的室温和高温力学性能。
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