切换导航
文档转换
企业服务
Action
Another action
Something else here
Separated link
One more separated link
vip购买
不 限
期刊论文
硕博论文
会议论文
报 纸
英文论文
全文
主题
作者
摘要
关键词
搜索
您的位置
首页
期刊论文
布设断面测算河道水库容积及冲淤量的数学解析与概化
布设断面测算河道水库容积及冲淤量的数学解析与概化
来源 :泥沙研究 | 被引量 : 0次 | 上传用户:chenanji
【摘 要】
:
以河道水库容积及冲淤量测算为目 标,提出了断面布设要求、容积等效概化断面间距的推算方法,探讨了容积及冲淤量计算公 式的适用性,导出了比较实用的断面间宽、平均深呈线性
【作 者】
:
牛占
弓增喜
胡跃斌
刘炜
【机 构】
:
黄河水利委员会
【出 处】
:
泥沙研究
【发表日期】
:
2004年4期
【关键词】
:
断面法
容积计算
冲淤量
泥沙
河道
水库
Cross-section surveyingvolume calculation scour and siltin
下载到本地 , 更方便阅读
下载此文
赞助VIP
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
以河道水库容积及冲淤量测算为目 标,提出了断面布设要求、容积等效概化断面间距的推算方法,探讨了容积及冲淤量计算公 式的适用性,导出了比较实用的断面间宽、平均深呈线性变化情况的容积计算公式.本研究 成果的实质是,构建了逻辑自洽的断面法测算河道水库容积及冲淤量的数学体系.
其他文献
中国水力发电工程学会水文泥沙专业委员会第四届学术讨论会在广西北海召开
中国水力发电工程学会水文泥沙专业委员会第四届学术讨论会,于2003年9月24~27日在广西北海市举行。会议由广西电力工业勘察设计研究院承办,水利部水文司、水电水利规划设计总院
期刊
水文泥沙
三峡枢纽
三门峡水库
潼关高程
三峡水库
淤积
长江口深水航道治理一期工程实施后北槽冲淤分析
对长江口深水航道治理一期工程实施后北槽的地形资料进行分析计算,论述了北槽河床冲淤变化.结果表明:一期工程实施后,整治工程段北槽河床普遍冲刷,平均水深增幅达1.2m,断面平
期刊
长江口
深水航道
治理工程
北槽
冲淤
Yangtze River Estuary North passage Deepwater ChannelRegulat
纸坊沟流域水土流失综合治理减沙效益评价
根据纸坊沟流域土壤侵蚀制图和多年径流泥沙观测资料,在阐明该流域土壤侵蚀特征的基础上,对比分析了"六五"、"七五"、"八五"和"九五"各治理期间流域输沙量的变化,重点定量评
期刊
水土流失
减沙
效益评价
纸坊沟流域
土壤侵蚀
soil erosion characteristics benefit of sediment reducti
《泥沙研究》2003年第1~6期总目录
期刊
东北地区河口潮流挟沙能力的研究
统计分析了东北地区四个主要河口及口门外潮流的悬移质含沙量的观测结果,发现当水体相对紊动强度较弱时(相对紊动强度用水流对泥沙的有效作用力Fb与泥沙颗粒间的粘结力Fc之比
期刊
潮流
悬移质
挟沙力
泥沙絮凝
tide current suspended sediment sediment-carrying capacity fl
黄河下游河道输沙水量的计算方法及应用
本文在以往输沙水量研究成果的基础上,从输沙机理分析着手,根据河道输水输沙实 际过程,剖析径流量中各部分水量在泥沙输移中的作用,引入净水量的概念,提出了输沙水 量和单位
期刊
黄河下游
输沙量
输沙水量
单位输沙水量
the lower Yellow River the sediment-carrying volume the sed
黄土坡面侵蚀产沙沿程变化的模拟试验研究
坡面侵蚀产沙的沿程分布规律研究是认识土壤侵蚀规律、进行有效水土保持的理论基础.为了揭示坡面侵蚀产沙的沿程分布规律以及不同坡长下细沟的发育规律,我们进行了不同坡长(2
期刊
坡面
侵蚀产沙
细沟密度
细沟侵蚀
土壤侵蚀
水流
loess slope soil loss rill density rill erosion
河流最小可用能耗率原理和统计熵理论研究
河流是一个具有能量紊动粘性热耗散结构的开放系统,依照热力学熵差和统计熵定义了河流水力熵差和统计熵,根据耗散结构动平衡稳定的熵和能耗理论,建立明渠流和冲积河流的水力
期刊
河床演变
耗散结构理论
水力熵
统计熵
最小可用能耗率原理
riverbed deformation theory of dissipation structu
我国半导体代工业市场可持续发展的探研
一、我国半导体IC晶园代工业现状 我国半导体IC晶圆代工业发端于上世纪九十年代中下叶,当时的中国华晶电子集团公司承接微电子“七五”“八五”无锡工程M0S集成电路生产线建设
期刊
工业市场
半导体
可持续发展
逻辑电路
市场展望
微处理器
微控制器
市场销售
模拟电路
销售额
GaN基HEMT场板结构研究进展
综述了近年来GaN基HEMT场板结构研究的最新进展,介绍了场板结构定义以及提高栅漏击穿电压的原理,总结了均匀场板结构、台阶场板结构、多层场板结构、双场板结构等对栅漏击穿电
期刊
氦化镓基高电子迁移率晶体管
场板
击穿电压
GaN-based HEMT field-plates breakdown voltage
与本文相关的学术论文