掺Y对二氧化钛低压压敏陶瓷性能的影响

来源 :压电与声光 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fuhui

【摘要】

：

通过对样品密度、介电常数、I-V特性及晶界势垒特性的测定和分析,研究掺Y对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏-电容性能的影响.掺入x(Y2O3)0.60%的样品显示出最高的非线性常数(α

【作者】

：

苏文斌王矜奉李长鹏陈洪存李明明

【机构】

：

济南大学物理系

【出处】

：

压电与声光

【发表日期】

：

2001年5期

【关键词】

：

二氧化钛电学性能频谱掺杂低压压敏陶瓷 varistors defect barrier model titania yttrium oxide elec

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通过对样品密度、介电常数、I-V特性及晶界势垒特性的测定和分析,研究掺Y对(Y,Nb)掺杂的二氧化钛低压压敏-电容性能的影响.掺入x(Y2O3)0.60%的样品显示出最高的非线性常数(α=7.86)以及最高的相对介电常数(εr=8.54×104)和样品密度(可达理论密度的98.8%),与该样品最高且窄的晶界缺陷势垒相一致,是一种较为理想的压敏-电容陶瓷.提出了TiO2@Y2O3@Nb2O5晶界缺陷势垒模型.

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