射频磁控溅射法相关论文
ZnO是一种具有六角纤锌矿结构的直接宽带隙半导体材料，常温下带宽为3.3eV，激子束缚能高达60meV，具有很好的光电和压电特性，在紫外发光......
本文利用射频磁控溅射法制备了ZnO光电导型紫外探测器并采用SiO2薄膜对ZnO表面进行钝化,研究SiO2钝化层对探测器特性的影响.磁控溅......
用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜,衬底温度由30℃变化到230℃.X射线衍射结果表明Mg0.1Zn0.9O:Al薄膜为单相......
利用磁控溅射方法制备了LiPON 固体电解质薄膜,并对所制备的薄膜进行XRD 测试表征,发现呈非晶结构,之后研究了它在不同湿度的空气......
采用射频磁控溅射技术，在不同的沉积温度条件下，以掺2wt%Al2O3的ZnO陶瓷靶作为靶材，在石英玻璃上制备ZnO：Al(AZO)透明导电薄膜。本文通......
采用磁控溅射方法,在不同的溅射压强下,在玻璃和硅衬底上生长As掺杂ZnO薄膜.研究溅射压强对ZnO薄膜结构、形貌和电光性能的影响.X......
比作传统的光屋顶，与电影涂的蓝宝石的屋顶能有效地减少放射率和增加发射度。这个工作的目的是在蓝宝石上调查热放射效果光的与由收......
Photovoltaic properties of ferroelectric solar cells based on poly- crystalline BiFeO3 films sputter
To study the ferroelectric photovoltaic effect based on polycrystalline films,preparation of high-quality polycrystallin......
利用射频磁控溅射法制备掺铒硫化锌直流电致发光薄膜，用ＸＰＳ（ｘ射线光电子能谱）技术进行剖析，获得薄膜内部构态与发光性能关系的信息，讨论了微......
用射频磁控溅射法成功地制备了非晶碳薄膜及掺氮非晶碳薄膜。拉曼光谱表征表明所沉积的非晶碳薄膜是非晶结构，具有类金刚石特性。对......
通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 ......
采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分......
通过在不同温度下氨化ZnO/Ga2O3膜,在Si衬底上成功制备了GaN纳米结构材料。氨化前,ZnO层和Ga2O3膜分别通过射频磁控溅射法依次溅射......
用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上生长了一组Zn1-xMgxO(x=0~0.16)薄膜。并在不同温度下退火。对薄膜的光致发光研究表明,在薄膜的......
采用射频磁控溅射法沉积制备了(002)ZnO/Al/Si复合结构。研究了Al薄膜对(002)ZnO/Al/Si复合结构的声表面波器件(SAWD)基片性能影响......
采用射频磁控溅射法在富氧环境下制备ZnO薄膜,继而结合N离子注入及热退火实现薄膜的N掺杂及p型转变,借助霍尔测试和拉曼光谱研究了......
采用高致密度靶材在室温条件下玻璃衬底上RF磁控溅射制备铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜。用X射线衍射仪、冷场发射扫描电子显微镜、紫外可......
本文通过采用射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga_2O_3薄膜,并研究双靶交替溅射和混合靶材直接溅射两种掺杂方式对薄膜性质的影响;之后选......
二氧化钛(Ti02)作为典型的宽禁带半导体,在光、电和磁学等领域均具有广阔的应用前景。然而,本征Ti02的太阳光利用率、电导率和迁移......
为了满足规模化工业生产需求,综合性能优异的硬质涂层具有非常重要的应用价值。TiN、TiCN、TiSiN、TiAlN和TiAlCN涂层已经大量研究......
学位
透明导电薄膜一被广泛运用在日常的光电产品——太阳能电池透明电极、液晶显示、触摸控制显示器、抗辐射线高透光保护镜及汽车前窗......
ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接宽禁带隙化合物半导体,因其价廉、环保和性能稳定,有望取代ITO和FTO应用于太阳能电池前电极器件上,有......
采用射频磁控溅射法,以铌靶和硅靶为靶材,在玻璃基片上沉积了NbSiN薄膜。研究了硅靶、铌靶功率、氮气流量以及溅射时间对薄膜光学......
利用直流或射频磁控溅射法溅射沉积非晶NiTi合金薄膜研究了550℃晶化热处理0．5h的51．6％Ni－Ti形状记忆薄膜的力学性能．弯曲和拉伸实验结......
本文用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。利用X射线光电子能谱（XPS）研究了不同处理条件对CeO2-x薄膜电子组态的影响，特别是对......
为了提高聚四氟乙烯的耐磨损能力,用射频磁控溅射法交替溅射纯Teflon靶和Al2O3靶获得Teflon/Al2O3多层复合膜,通过PHI-5300 ESCA型......
采用射频磁控溅射法在n型单晶Si(100)衬底上制备Au/Si/Au多层薄膜,并在300℃真空原位退火30min。扫描电子显微镜(SEM)及透射电子显......
本文采用射频磁控溅射法在ITO/Glass衬底上制备了Cu/HfOx/Ti MIM结构,对其电学性能和化学成分进行了分析。结果表明,Cu/HfOx/Ti结......
采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了上组分梯度、下组分梯度及单层BST薄膜,对比研究了三种结构BST薄膜的电、热性能。实验表......
一、引言 钛酸铅PbTiO_3,是一种优良的热释电材料.特别是c轴取向的PbTiO_3薄膜,c轴就是极化轴,热释电系数r约为2.5×10~(-8)C/cm~......
通过研制的磁控溅射系统,采用射频磁控溅射法,对 S_nO_2超微粒半导体气敏膜的制备进行了研究,同时对制备的薄膜的气敏性进行了测量......
研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结......
用射频磁控溅射法在外磁场中淀积 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ８１ Ｆｅ１９ 双层膜， 利用淀积磁场（ Ｈｄｅ） 诱导易轴并确定交换耦合场方向． 研究了淀积磁场对 Ｎｉ Ｏ／ Ｎｉ Ｆｅ 双层膜特性的......
用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜。通过改变O2／Ar比，制备出不同组分和结构的CeO2-x薄膜。用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+的浓度......
研究了应用射频磁控溅射法在不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明，在清洁的基板上制备的ＹＳＺ 薄膜经６００ ℃以上热处......
采用射频磁控溅射法制备了ZnS SiO2 介电薄膜 ,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS SiO2薄膜微结构和折射率n的影响 研究表......
在低真空(2.3×10-3Pa)下采用射频磁控溅射法制备了ITO薄膜。溅射温度200℃,溅射气氛为氩气和氧气的混合气,溅射靶材为90%氧化铟、......
用射频磁控溅射法制备了AlN,BN单层膜及AlN/BN纳米多层膜.采用X射线衍射仪、高分辨率透射电子显微镜和纳米压痕仪对薄膜结构进行表......
采取射频磁控溅射法在硅和石英衬底上淀积Ag–TiO2纳米薄膜,利用X射线衍射仪和紫外可见分光计分析薄膜的相结构和光学性能,研究银......
以GaP为靶材、Ar为工作气体,采用射频磁控溅射法制备了厚层GaP膜.对沉积过程中的辉光放电等离子体进行了发射光谱诊断,发现只有Ar......
以粉末靶为溅射源,采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备掺铟氧化锌(ZnO∶In)透明导电膜。利用X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔测......
