【摘 要】
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针对某功率等级为1 700 V/225 A的全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过实验测试了其静态和动态特性,并将其与同功率等级的硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGB
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针对某功率等级为1 700 V/225 A的全碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),通过实验测试了其静态和动态特性,并将其与同功率等级的硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)及混合SiC器件对比,发现SiC器件的性能优于Si器件。其次重点研究了基于datasheet建立的SiCMOSFET模型,通过曲线拟合在PSpice中建立器件的静态仿真模型,通过M语言的编写在Matlab软件中建立动态仿真模型。将仿真结果与datasheet中的数据进行对比验证,发现该模型能够准确反映SiC MOSFET的静、动态特性,为器件应用时的损耗计算、特性分析以及电力电子开关变换器的设计优化奠定了基础。
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