【摘 要】
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日本索尼公司成功地研制在室温下连续振荡的523nm波长蓝绿色半导体激光器。 在半导体激光器的发光层处利用ZnCdSe在金属包层处利用ZnMgSSe,当制造半导体激光器时,把ZnSe和Zn
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日本索尼公司成功地研制在室温下连续振荡的523nm波长蓝绿色半导体激光器。 在半导体激光器的发光层处利用ZnCdSe在金属包层处利用ZnMgSSe,当制造半导体激光器时,把ZnSe和ZnCdSe等Ⅱ—Ⅵ族半导体用在发光层上,在金属包层处须要扩大禁带宽,为了获得禁带宽大的金属
Japan’s Sony Corporation successfully developed at room temperature continuous oscillation of the 523nm wavelength blue-green semiconductor laser. ZnMgSeSe is used as a metal cladding at the light-emitting layer of a semiconductor laser, and when a semiconductor laser is manufactured, a II-VI semiconductor such as ZnSe and ZnCdSe is used as the light-emitting layer, and the forbidden band width needs to be increased at the metal cladding. Obtain banned metal
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