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运用密度矩阵方法推导出了特殊非对称量子阱中电光系数的解析表达式，并以典型的GaAs／AlGaAs非对称量子阱为例进行了数字计算。计算结果表明，量子阱的非对称性随着参数α的增大而增强，随着参数V0的增大而减小。电光系数的最大值也随着参数α的增大而增大，随着参数V0的增大而减小，表明电光系数将随着量子阱非对称性的增大而增大。在取不同的参数α和不同的参数V0时，电光系数和入射光子能量的关系分别被绘制成曲线图。在图中分别有三个不同的峰，而且系统的非对称性越大，峰值就越大。随着量子阱非对称性的增大，曲线中的峰向能量