二氧化硅干法刻蚀倾角控制的工艺研究

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采用反应离子体刻蚀机结合CHF,+SF6—O2混合气体刻蚀二氧化硅的工艺研究,并且采用正交试验方法调整刻蚀参数,得出影响刻蚀倾角的主要因素是cHF3和SF6。适当增加CHF3流量有助于形成陡直的刻蚀倾角;适当增加SR流量并减小CHF3流量有助于形成乎缓的刻蚀倾角。通过对实验参数进行整体优化处理,最终实现了垂直、平缓的刻蚀倾角。为采用二氧化硅作为刻蚀掩膜以及终端结构提供了帮助。
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