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通过等离子体增强化学气相沉积方法制备氢化非晶硅薄膜,薄膜的厚度约为200nm,再通过高温热退火处理形成致密度较好的、晶化率较高的、晶粒尺寸均匀的纳米硅量子点薄膜.
高温热退火方法制备纳米硅量子点薄膜材料
【摘 要】
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通过等离子体增强化学气相沉积方法制备氢化非晶硅薄膜,薄膜的厚度约为200nm,再通过高温热退火处理形成致密度较好的、晶化率较高的、晶粒尺寸均匀的纳米硅量子点薄膜.
【机 构】
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扬州工业职业技术学院电气信息工程学院
【出 处】
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科技经济导刊
【发表日期】
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2004年期
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