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分析了嵌入式双端口SRAM的故障模型，并在此基础上提出了一种新型的针对嵌入式双端口SRAM的BIST结构；它能够有效地测试双端口SRAM，通过使用新型的指令格式能够减少指令数据量和测试时间。
嵌入式双端口SRAM可编程内建自测试结构的设计
【摘 要】
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分析了嵌入式双端口SRAM的故障模型，并在此基础上提出了一种新型的针对嵌入式双端口SRAM的BIST结构；它能够有效地测试双端口SRAM，通过使用新型的指令格式能够减少指令数据量和测
【机 构】
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桂林电子工业学院
【出 处】
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计算机测量与控制
【发表日期】
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2006年7期
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