【摘 要】
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SiC MOSFET的高频切换将不可避免地导致di/dt或dv/dt的增高,随即引起电压以及电流振荡.开关振荡会产生严重的负面影响,表现为电压尖峰、额外的功率损耗、电磁干扰(EMI)噪声.为了减缓SiC MOSFET漏源极电压的尖峰及振荡,文中设计一种基于闭环di/dt和dv/dt控制的电压型有源驱动电路.该有源驱动电路通过控制栅源电压波形控制SiC MOSFET的开关速度,进而抑制电压电流的尖峰和振荡.将所设计的有源驱动电路在半桥斩波电路中进行仿真验证,仿真结果表明,该有源驱动电路可以有效地实现预期功能
【机 构】
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太原理工大学,山西 太原 030024
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SiC MOSFET的高频切换将不可避免地导致di/dt或dv/dt的增高,随即引起电压以及电流振荡.开关振荡会产生严重的负面影响,表现为电压尖峰、额外的功率损耗、电磁干扰(EMI)噪声.为了减缓SiC MOSFET漏源极电压的尖峰及振荡,文中设计一种基于闭环di/dt和dv/dt控制的电压型有源驱动电路.该有源驱动电路通过控制栅源电压波形控制SiC MOSFET的开关速度,进而抑制电压电流的尖峰和振荡.将所设计的有源驱动电路在半桥斩波电路中进行仿真验证,仿真结果表明,该有源驱动电路可以有效地实现预期功能;且相对常规电路,该驱动电路所需元器件少,控制过程简单.
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