【摘 要】
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用Ｘ光双晶衍射，Ｈａｌｌ和光致发光研究ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层，发现Ｇａ组分随Ⅴ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）．Ｃａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高。Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室
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用Ｘ光双晶衍射，Ｈａｌｌ和光致发光研究ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层，发现Ｇａ组分随Ⅴ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的。７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ＾２／（Ｖ．ｓ）．Ｃａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高。Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源，１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相
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