论文部分内容阅读
通过红外光谱和荧光发射光谱分别对600 keV、4 MeV和5 MeV Kr离子辐照的SiO2进行发光特性的研究。在低能量辐照体系中,简单色心（F2色心）的形成在损伤过程中占据主导地位,其主要诱发蓝光发射带;在高能离子辐照条件下,离子径迹上的能量密度较大,因此缺陷浓度的增大产生了一些缺陷团簇和离子径迹,形成了复杂的色心（F2＋和F3＋色心等）并诱发了强烈的绿光发射带和红光发射带。该实验结果与能量损失过程中统一热峰理论模型（一个综合的基于电子能损与核能损的非弹性碰撞模型和弹性碰撞模型）的模拟结果能够很好地吻