退火处理对ZnO纳米棒阵列的性能影响(英文)

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通过电沉积在ITO基底上制备了大规模ZnO纳米棒阵列。对ZnO纳米棒进行不同温度下的退火处理,然后通过旋转涂覆工艺将聚3-己基噻吩与[6,6]-苯基-C61丁酸甲酯(P3HT∶PCBM)的混合物沉积在纳米棒上组装成杂化太阳电池。应用扫描电子显微镜、X射线衍射、光致发光测试和光伏测试分析了退火处理对ZnO纳米棒及其组装的太阳电池性能的影响。发现退火处理除使ZnO纳米棒的光致可见光发射的强度有所改变外,还可以使发射峰中心从约580 nm的位置转移到约520 nm的位置,这说明退火处理不但可以改变ZnO纳米棒缺陷密度,还能改变缺陷类型。通过合适的退火处理,太阳电池的转换效率可提高17倍。 Large-scale ZnO nanorod arrays were prepared on ITO substrates by electrodeposition. The ZnO nanorods were annealed at different temperatures and then a mixture of poly-3-hexylthiophene and [6,6] -phenyl-C61 butyric acid methyl ester (P3HT: PCBM) was deposited on the nanorods by a spin- On the assembly of hybrid solar cells. The effects of annealing treatment on the properties of ZnO nanorods and their assembled solar cells were analyzed by scanning electron microscopy, X-ray diffraction, photoluminescence and photovoltaic measurements. In addition to the change of the intensity of the photo-visible light emission of ZnO nanorods, the annealing treatment was also found to shift the center of the emission peak from a position of about 580 nm to a position of about 520 nm, indicating that the annealing process can not only change the ZnO nanorods Defect density, but also change the type of defect. With proper annealing, solar cell conversion efficiency can be increased by 17 times.
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