【摘 要】
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高频化是提升并网逆变器功率密度的有效途径。SiC MOSFET适用于高频化的应用场合,同时采用软开关技术可维持高转换效率。设计了一台500kHz零电压开关(ZVS)SiC单相并网逆变器。重
【基金项目】
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国家自然科学基金(51277163,51337009)~~
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高频化是提升并网逆变器功率密度的有效途径。SiC MOSFET适用于高频化的应用场合,同时采用软开关技术可维持高转换效率。设计了一台500kHz零电压开关(ZVS)SiC单相并网逆变器。重点介绍了谐振参数的选取、谐振电感与滤波电感的设计,并在1.5kW实验模型上进行了验证。实验证明在开关频率为500kHz时,依靠SiC MOSFET自身的结电容可完成谐振,实现ZVS开通。500kHz下的滤波电感比100kHz下的滤波电感体积减小约4/5,满载效率为97.9%。
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