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在有损耗的硅衬底上试制了传输线（微带以及共面波导），并嵌入在CMOS Cu／SiO2互连层中．对传输线的几何尺寸与其特征阻抗、损耗以及衰减因子进行了研究．结果表明嵌入在硅氧化层中的微带和共面波导可以在有损耗的硅片上低损耗地实现，为在硅片上设计微波和毫米波电路提供了必要的无源器件．
基于硅氧化层的嵌入式传输线制造
【摘 要】
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在有损耗的硅衬底上试制了传输线（微带以及共面波导），并嵌入在CMOS Cu／SiO2互连层中．对传输线的几何尺寸与其特征阻抗、损耗以及衰减因子进行了研究．结果表明嵌入在硅氧化层中的微
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2006年1期
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