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以六氟化硫（SF6）作为刻蚀气体，采用不同的添加气体O2或N2分别进行了SiC薄膜的等离子体刻蚀（PE）工艺研究。实验表明，SF6中加入O2有助于SiC材料刻蚀速率的提高；但是，在相同的刻蚀工艺条件下，N2的加入只起到稀释气体的作用而未参与刻蚀反应，SiC刻蚀速率随N2的通入而有所降低。
不同添加气体对SiC材料SF6干法刻蚀的影响
【摘 要】
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以六氟化硫（SF6）作为刻蚀气体，采用不同的添加气体O2或N2分别进行了SiC薄膜的等离子体刻蚀（PE）工艺研究。实验表明，SF6中加入O2有助于SiC材料刻蚀速率的提高；但是，在相同的刻蚀工艺条
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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微电子学
【发表日期】
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2001年1期
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