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用高能（５００ＭｅＶ）Ｎｅ离子束对ＧａＡｓ和ＩｎＰ进行了辐照，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ模拟，正电子湮没谱学以及红外谱研究了辐照产生的缺陷特性，结果表明，在未辐照的样品中存在的单空位，经辐照后，可在样品中产生单空位，当剂量较大时，还会形成双空位甚于尺寸较大的空洞，红外光谱测量发现，在辐照后ＧａＡｓ样品中有非晶区形成，此外，辐照在样品中还产生了反位缺陷ＧａＡ３和ＩｎＰ以及受主杂质Ｚｎ１ｎ，对经１０＾１４