【摘 要】
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等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶硅和氮化硅显示出巨大的优越性。本文深入地
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等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶硅和氮化硅显示出巨大的优越性。本文深入地讨论了等离子体腐蚀机理,给出了若干等离子体腐蚀特性的实验测量结果,并给了等离子体腐蚀的最佳工作条件。
Plasma etching is a new technology developed in the semiconductor industry in the early 1970s. In integrated circuits, especially N-type silicon gate MOS integrated circuits, using it to etch polysilicon and silicon nitride shows great superiority. In this paper, the plasma corrosion mechanism is discussed in depth. Some experimental results of plasma corrosion are given, and the best working conditions of plasma etching are given.
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