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随着器件线宽和层厚的缩小，离子注入计量设备对硅片上杂质分布均匀性进行直接监测的能力已经开始受到限制。同时，特征尺寸的缩小和参数性能的要求，使关键注入参数的工艺窗口不断变窄，而离子束电流和硅片尺寸却在不断增大。这样一来，就使得通过测量平均偏差与标准偏差（SD，或分布展宽）来量化硅片上注入掺杂均匀性的传统方法，缺乏所需的统计信息来监测离子注入工艺。