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InGaN／MgAl2O4多量子阱材料

来源 :电子材料快报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kniba98

【作 者】

：

未休 

【出 处】

：

电子材料快报

【发表日期】

：

1996年11期

【关键词】

：

半导体 多量阱材料 INGAN MGAL2O4 

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