【摘 要】
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采用反应射频磁控溅射方法,在Si（001）基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表
【机 构】
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大连理工大学三束材料改性国家重点实验室
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采用反应射频磁控溅射方法,在Si（001）基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用原子力显微镜、X射线衍射、透射光谱和室温光致荧光光谱等分析技术,研究了氧分压对薄膜的表面形貌和光学特性的影响.研究结果显示,0.04～0.23Pa的氧分压范围内,ZnO薄膜存在三个不同的生长模式,薄膜生长模式转变的临界氧分压分别位于0.04～0.08Pa和0.16～0.19Pa之间;在0.16Pa以下时,ZnO薄膜的表面岛呈＋c取向的竹笋状生长;当氧分压〉0.19Pa时,薄膜的表面岛以-c取向生长为主;ZnO薄膜的折
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