【摘 要】
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2013年12月20日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN-20 V P沟道GenⅢ功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引
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2013年12月20日,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其Si7655DN-20 V P沟道GenⅢ功率MOSFET荣获EDN China 2013创新奖电源器件和模块类最佳产品奖。EDN China创新奖于2005年引入国内,以表彰在中国市场上的IC和相关产品在设计上所取得的成就。今年,共有82家公司的144款产品角逐9个技术门类的奖项。EDN China的在线读者投票选出73款提名产品,再由技术专家
On December 20, 2013, Vishay Intertechnology, Inc. announced that its Si7655DN-20 V P-Channel Gen III Power MOSFET won the EDN China 2013 Innovation Award for best power device and module category. EDN China Innovation Award was introduced into China in 2005, in recognition of the IC in the Chinese market and related products in the design of the achievements. This year, a total of 144 products from 82 companies contested 9 technology categories. An online reader at EDN China voted 73 nominees, followed by technical experts
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