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采用射频反应磁控溅射法在镀有SiO2膜的钠钙硅玻璃基片上沉积了二氧化钒（VO2）薄膜。研究了在300℃沉积温度下，不同溅射时间（5-35min）对VO2薄膜结构和性能的影响。用X射线衍射、扫描电镜、自制电阻测量装置、紫外-可见光谱仪、双光束红外分光光度计对薄膜结构、形貌、电学及光学性能进行了表征。结果表明：薄膜在低温半导体相主要以四方相畸变金红石结构存在，在（011）方向出现明显择优取向生长，随着溅射时间的延长，晶粒生长趋于完整，晶粒尺寸增大：对溅射时间为35min的薄膜热处理，发现从室温到90℃范围内，