【摘 要】
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采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7
【机 构】
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模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,模拟集成电路国家重点实验室中国电子科技集团公司第二十四研究所,模拟集成电路国
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采用MBE差分外延生长SiGe HBT基区,等平面隔离,多晶硅注入、快速退火形成发射区等工艺,实现了SiGe器件的平面集成。基于上述工艺技术研制的SiGe低噪声放大器(LNA),获得了1.7 GHz的带宽,23 dB的增益和3.5 dB的噪声系数。
The MBE differential epitaxial growth of SiGe HBT base, iso-planar isolation, polysilicon implantation, rapid annealing to form the emitter region and other processes are realized to realize the planar integration of SiGe devices. The SiGe low-noise amplifier (LNA), based on the above process technology, achieved 1.7 GHz bandwidth, 23 dB gain and 3.5 dB noise figure.
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