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Sub-10-nm 体积 n-MOSFET (金属氧化物半导体地效果晶体管) 直接 source-to- 排水管通道水流密度使用 Wentzel- Krammers-Brillouin (WKB ) 传播通道理论被模仿了。隧道长度和障碍高度上的 source-to-drain 通道水流的依赖被检验。倒置层量子化，变窄的乐队差距，和导致的障碍降低完成的排水管在模型被包括了。漏水流密度在 4 nm 隧道长度下面严重地增加，这被观察了，因此把限制放到按比例缩小 MOSFET。结果与已经在文学报导的数字结果仔细匹