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采用激活能测试装置测量VHF-PECVD高速沉积的本征微晶硅薄膜，并对不同晶化率的样品和不同沉积功率、不同沉积压强条件下沉积制备的样品的激活能进行了分析研究。结果表明：在非晶-微晶相变域附近，激活能随着晶化率的升高而降低；随着沉积功率的增大和沉积气压的增大，沉积速率提高，样品的激活能升高，通过提高沉积功率和沉积气压可以有效的抑制氧污染。