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来源 :传感器与微系统 | 被引量 : [!--cite_num--]次 | 上传用户:[!--user--]
【摘 要】
:
采用介质键合技术制备的Si基GaAs材料衬底,缺陷密度小。对待键合的器件结构电学性能影响小。对采用目前常见的介质材料制备的Si基GaAs材料的力学性能进行了仿真分析,得到用于
【作 者】
:
薛慧
石云波
郭浩
唐军
刘俊
丁宇凯
【机 构】
:
中北大学仪器科学与动态测试教育部重点实验室,中北大学电子测试技术重点实验室
【出 处】
:
传感器与微系统
【发表日期】
:
2013年6期
【关键词】
:
Si基异质外延GaAs材料
键合
应力转换率
力电耦合效应
Si-based heterogeneous epitaxial GaAs material
bo
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