【摘 要】
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运用热蒸发技术在Si(111)和Si(100)基片上制备了ZnO纳米棒.SEM表征显示,ZnO纳米棒的直径约100 nm,长度均匀,大约3 μm;XRD表征发现ZnO纳米棒沿[0001]晶向择优生长.通过实验结
【机 构】
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西南石油大学理学院,电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
【基金项目】
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the Research Foundation of Education Bureau of Sichuan Province of China;the Natural Science Foundation of Southwest Petroleum University of China
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运用热蒸发技术在Si(111)和Si(100)基片上制备了ZnO纳米棒.SEM表征显示,ZnO纳米棒的直径约100 nm,长度均匀,大约3 μm;XRD表征发现ZnO纳米棒沿[0001]晶向择优生长.通过实验结果与理论分析得出:对于Si(111)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿6个对称方向生长,而且与基片之间的夹角为54.7°,ZnO与Si(111)的外延关系为[0001]ZnO‖[114]Si,[0001]ZnO ‖[(1-1-)4]S1,[0001]ZnO‖[141]Si,[0001]ZnO‖[(1-)4(1-)]Si,[0001]ZnO ‖[411]Si,或[0001]ZnO‖[4(1-1-)]S1.对于Si(100)基片上的样品,大部分ZnO纳米棒沿4个对称方向生长,与基片之间的夹角为70.5°,其外延关系为[0001]ZnO ‖[114]S1,[0001]ZnO‖[(1-1-)4]Si,[0001]ZnO‖[1(1-)4]Si,或[0001]ZnO ‖[(1-)14]Si.通过比较分析得出Si基片可以控制ZnO纳米棒的生长方向.
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