【摘 要】
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基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器.采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真,实现了高线性度;利用二次谐波终端电容改变电路工作模式,减少时域电压电流的重叠损耗功率,提高了功率附加效率.结果 表明,在3.4V电源电压、2.8V偏置电压时,在工作频带815～915 MHz范围内,该功率放大器的增益大于29.5 dB,输入回波损耗小于-13.2 dB;在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时,功率附加效率为39％
【机 构】
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桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室,广西桂林541004;中国电子科技集团公司第三十四研究所,广西桂林541004;复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433
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基于2 μm InGaP/GaAs HBT工艺,设计并实现了一种用于LTE终端的高效率、高线性功率放大器.采用模拟预失真和相位补偿器抑制幅度失真和相位失真,实现了高线性度;利用二次谐波终端电容改变电路工作模式,减少时域电压电流的重叠损耗功率,提高了功率附加效率.结果 表明,在3.4V电源电压、2.8V偏置电压时,在工作频带815～915 MHz范围内,该功率放大器的增益大于29.5 dB,输入回波损耗小于-13.2 dB;在10 MHz LTE输入调制信号、28 dBm回退输出功率时,功率附加效率为39％～41％,第一相邻信道泄漏比ACLR1小于-38.1 dBc,第二相邻信道泄漏比ACLR2小于-44.8 dBc.
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半导体科技是未来信息和通信技术发展的主要推动力,模拟电子技术是半导体科技的不可或缺的组成部分.文章阐述了受未来信息系统更大处理能力、更高传输能力、更低延时感知等需求的拉动,模拟电子技术在智能化感知和执行、新计算处理架构、高能量效率、整体协同开发平台等方面的几大主要技术发展趋势.讨论了模拟电子技术在晶体管、电路、模拟学习架构、先进工艺技术等基础层面以及通信领域中的重要研究方向.该综述研究显示了未来十年模拟电子关键技术的发展轮廓.
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