【摘 要】
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采用传统固相反应法制备了0.4Bi（GaxFe1-x）O3-0.6PbTiO3（BGF-PT）（x=0.05,0.25,0.40,质量分数）陶瓷。BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09。当x（Ga）=25%时,BGF-PT陶瓷的
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院电子信息材料系
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（50872080）
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采用传统固相反应法制备了0.4Bi（GaxFe1-x）O3-0.6PbTiO3（BGF-PT）（x=0.05,0.25,0.40,质量分数）陶瓷。BGF-PT呈四方相钙钛矿结构,四方畸变度c/a比约为1.09。当x（Ga）=25%时,BGF-PT陶瓷的晶粒分布均匀,Fe元素在局部区域无明显富集,该组分陶瓷在室温下具有最优的介电性能,居里温度为572℃。BGF-PT陶瓷在较低温度和高温下的载流子分别为电子和氧空位。Ga元素的引入抑制了电子电导和氧空位离子电导,降低了BGF-PT陶瓷的交流电导率。
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