【摘 要】
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采用射频磁控溅射和n2气氛退火处理制备了多晶ga2o3薄膜和cu掺杂ga2o3薄膜.用x射线衍射仪、紫外可见分光光度计、荧光光谱仪对ga2o3薄膜和cu掺杂ga2o3薄膜的结构和光学性能进
【基金项目】
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国家自然科学基金，山东省自然科学基金，山东省高等学校科技计划
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采用射频磁控溅射和n2气氛退火处理制备了多晶ga2o3薄膜和cu掺杂ga2o3薄膜.用x射线衍射仪、紫外可见分光光度计、荧光光谱仪对ga2o3薄膜和cu掺杂ga2o3薄膜的结构和光学性能进行了表征.结果表明,cu掺杂后ga2o3薄膜的结晶质量变差,透过率明显降低,吸收率增加,光学带隙减小.本征ga2o3薄膜在紫外、蓝光和绿光出现了发光带,gu掺杂后紫外和蓝光发射增强,且在475 nm处出现了一个新的发光峰.
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