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面向NAND Flash存储的纠错编码技术概述
面向NAND Flash存储的纠错编码技术概述
来源 :计算机与现代化 | 被引量 : 0次 | 上传用户:PeNgxionglifanG2
【摘 要】
:
对面向NAND Flash存储的纠错编码技术进行综述。首先,介绍NAND Flash的内部结构及其出错机制。然后,对目前常用的4种纠错编码技术(Hamming码、RS码、BCH码以及LDPC码)原理及现
【作 者】
:
彭福来
于治楼
陈乃阔
耿士华
毕研山
【机 构】
:
山东超越数控电子有限公司,山东省特种计算机重点实验室
【出 处】
:
计算机与现代化
【发表日期】
:
2017年11期
【关键词】
:
纠错编码
NAND
FLASH存储
BCH码
LDPC码
error correction code
NANDflash memory
BCH code
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对面向NAND Flash存储的纠错编码技术进行综述。首先,介绍NAND Flash的内部结构及其出错机制。然后,对目前常用的4种纠错编码技术(Hamming码、RS码、BCH码以及LDPC码)原理及现状进行详细介绍。最后,对比分析这4种纠错编码技术的优缺点以及未来的发展趋势。
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